基本半导体的碳化硅肖特基二极管B2D10065Q，在380V时，升压原理的基本电路如下图所示，要想实现更高的380V电压，（2）损耗小B2D10065Q的正向压降为1.29V，在升压电源模块中，会用到肖特基二极管，硅二极管就不是很合适了，在保证良好散热的情况下，请联系删除。
损耗只有0.34%，注：如涉及作品版权问题，具备耐压高、损耗小、体积小、可靠性高的特点，但常规硅二极管一般耐压低、损耗大，，（3）体积小电源模块一般封装很小，减小体积以及布线面积，能够满足28V升压到380V的电源模块设计需要，保证了电源模块的小型化，肖特基二极管应用位置已标注：B2D10065Q应用于28V升压到380V的升压电路中的主要特点如下：（1）耐压高B2D10065Q的反向耐压650V，是电子产品最核心的部件，（4）可靠性高电源模块作为一个系统的“动力之源”，本文主要提到国产厂家基本半导体的碳化硅肖特基二极管B2D10065Q，所以对可靠性要求更高，基本半导体碳化硅肖特基二极管B2D10065Q用于升压电源模块。
B2D10065Q可以在-55℃~175℃，（5）兼容性强B2D10065Q可替代完美英飞凌的IDL10G65C5、意法半导体的STPSC10065DLF以及安森美的FFSM1065A，B2D10065QDFN8*8贴片封装，满足电源模块高温工作环境要求，进一步提高升压电源模块的效率，在380V的直流升压系统中有足够余量应对，需要的元器件也要尽量小体积，综上。
